內部型號 | RO-HN2A01FU-GR(TE85LF |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 10mA, 100mA |
晶體管類型: | 2 PNP (Dual) |
供應商設備封裝: | US6 |
系列: | - |
功率 - 最大: | 200mW |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱: | HN2A01FU-GR(TE85LF)CT HN2A01FU-GR(TE85LF)CT-ND HN2A01FU-GR(TE85LFCT |
工作溫度: | 125°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 80MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 200 @ 2mA, 6V |
電流 - 集電極截止(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 150mA |
Email: | [email protected] |