內部型號 | RO-FDD6N50TM |
---|---|
狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 測試: | 9400pF @ 25V |
電壓 - 擊穿: | D-Pak |
VGS(TH)(最大)@標識: | 900 mOhm @ 3A, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
系列: | UniFET™ |
RoHS狀態: | Tube |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6A (Tc) |
極化: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | FDD6N50TM-5 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | FDD6N50TM |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 16.6nC @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET特點: | N-Channel |
展開說明: | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak |
漏極至源極電壓(Vdss): | - |
描述: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 500V |
電容比: | 89W (Tc) |
Email: | [email protected] |