내부 부품 번호 | RO-FDD6N50TM |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
전압 - 테스트: | 9400pF @ 25V |
전압 - 파괴: | D-Pak |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 900 mOhm @ 3A, 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | UniFET™ |
RoHS 상태: | Tube |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 6A (Tc) |
편광: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
다른 이름들: | FDD6N50TM-5 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | FDD6N50TM |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 16.6nC @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 5V @ 250µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 500V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D-Pak |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 500V |
용량 비율: | 89W (Tc) |
Email: | [email protected] |