內部型號 | RO-EPC8002 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大): | +6V, -4V |
技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
供應商設備封裝: | Die |
系列: | eGaN® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | Die |
其他名稱: | 917-1118-1 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 21pF @ 32.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 65V |
詳細說明: | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2A (Ta) |
Email: | [email protected] |