內部型號 | RO-2SB1457,T6YMEF(M |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 100V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 1.5V @ 1mA, 1A |
晶體管類型: | PNP |
供應商設備封裝: | TO-92MOD |
系列: | - |
功率 - 最大: | 900mW |
封装: | Bulk |
封裝/箱體: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
其他名稱: | 2SB1457T6YMEF(M 2SB1457T6YMEFM |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 50MHz |
詳細說明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 2000 @ 1A, 2V |
電流 - 集電極截止(最大): | 10µA (ICBO) |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 2A |
Email: | [email protected] |