ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > TPH3206LS
TPH3206LS
TPH3206LS
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TPH3206LS
ผู้ผลิต:
Transphorm
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 17A PQFN
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
86196 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
TPH3206LS.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply TPH3206LS, use the request quote form to request TPH3206LS pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPH3206LS.The price and lead time for TPH3206LS depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPH3206LS.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-TPH3206LS
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (สูงสุด):±18V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PQFN (8x8)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 8V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):96W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:3-PowerDFN
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:760pF @ 480V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):8V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:17A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TPH3206LS

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
TPH3208LD Image TPH3208LD Transphorm MOSFET N-CH 650V 20A PQFN การสอบสวน
TPH3206PS Image TPH3206PS Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A TO220 การสอบสวน
TPH3208LS Image TPH3208LS Transphorm MOSFET N-CH 650V 20A PQFN การสอบสวน
TPH3206PD Image TPH3206PD Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A TO220 การสอบสวน
TPH3202PD Image TPH3202PD Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A TO220 การสอบสวน
TPH3202PS Image TPH3202PS Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A TO220 การสอบสวน
TPH3206LSB Image TPH3206LSB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A PQFN การสอบสวน
TPH3206LDGB Image TPH3206LDGB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A PQFN การสอบสวน
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm MOSFET N-CH 600V 17A PQFN การสอบสวน
TPH3208PD Image TPH3208PD Transphorm MOSFET N-CH 650V 20A TO220 การสอบสวน
TPH2R608NH,L1Q Image TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 การสอบสวน
TPH3205WSBQA Image TPH3205WSBQA Transphorm MOSFET N-CH 650V 35A TO247 การสอบสวน
TPH3206LDB Image TPH3206LDB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A PQFN การสอบสวน
TPH3207WS Image TPH3207WS Transphorm MOSFET N-CH 650V 50A TO247 การสอบสวน
TPH3208LDG Image TPH3208LDG Transphorm MOSFET N-CH 650V 20A PQFN การสอบสวน
TPH3202LD Image TPH3202LD Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A PQFN การสอบสวน
TPH3202LS Image TPH3202LS Transphorm MOSFET N-CH 600V 9A PQFN การสอบสวน
TPH3208LSG Image TPH3208LSG Transphorm MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN การสอบสวน
TPH3205WSB Image TPH3205WSB Transphorm MOSFET N-CH 650V 36A TO247 การสอบสวน
TPH3206PSB Image TPH3206PSB Transphorm MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB การสอบสวน

ข่าว Latest