TC74HC03AP
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- TC74HC03AP
- ลักษณะ:
- IC GATE NAND 4CH 2-INP 14DIP
- สถานะ RoHS:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 48551 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- TC74HC03AP.pdf
บทนำ
We can supply TC74HC03AP, use the request quote form to request TC74HC03AP pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TC74HC03AP.The price and lead time for TC74HC03AP depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TC74HC03AP.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-TC74HC03AP |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2 V ~ 6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 14-DIP |
| ชุด: | TC74HC |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนปัจจัยการผลิต: | 2 |
| จำนวนแผงวงจร: | 4 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| แม็กซ์ล่าช้าในการกระจาย @ V แม็กซ์ CL: | 13ns @ 6V, 50pF |
| ประเภทตรรกะ: | NAND Gate |
| ระดับตรรกะ - ต่ำ: | 0.5 V ~ 1.8 V |
| ระดับตรรกะ - สูง: | 1.5 V ~ 4.2 V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Open Drain |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | NAND Gate IC 4 Channel Open Drain 14-DIP |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 1µA |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | -, 5.2mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 74HC03 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ TC74HC03AP
ข่าว Latest
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- โตชิบาเปิดตัว 200V ทรานซิสเตอร์รถเอาท์พุท OPTOCOUPLER แรก
- TOSHIBA เปิดตัวอัตราส่วนการปฏิเสธการกระเพื่อมสูงและตัวควบคุม LDO ที่มีเสียงรบกวนต่ำพร้อมความเสถียรของสายไฟที่สูงขึ้น
- TOSHIBA เปิดตัวออปโตคัปเปลอร์แบบบางและเบาสำหรับเกตไดรฟ์ IGBT และ MOSFET การทำงานที่อุณหภูมิสูงด้านหลังหรือตำแหน่งที่จำกัดความสูง: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA เปิดตัว IGBT แบบแยกที่ช่วยลดการใช้พลังงานและการแผ่รังสีของเครื่องใช้ในครัวเรือน: GT30J110SRA
- Toshiba เปิดตัว 5A 2-channel H-bridge motor driver IC สำหรับการใช้งานในยานยนต์
- โตชิบาเปิดตัวไมโครคอนโทรลเลอร์ขั้นสูงตระกูล TXZ + ™ใหม่ 5 ชุดเพื่อให้ใช้พลังงานต่ำระบบรองรับการย่อขนาดและการควบคุมมอเตอร์