TC58NVG1S3HBAI4
TC58NVG1S3HBAI4
รุ่นผลิตภัณฑ์:
TC58NVG1S3HBAI4
ผู้ผลิต:
Toshiba Memory America, Inc.
ลักษณะ:
IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
84476 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
TC58NVG1S3HBAI4.pdf

บทนำ

We can supply TC58NVG1S3HBAI4, use the request quote form to request TC58NVG1S3HBAI4 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TC58NVG1S3HBAI4.The price and lead time for TC58NVG1S3HBAI4 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TC58NVG1S3HBAI4.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-TC58NVG1S3HBAI4
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า:25ns
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน:2.7 V ~ 3.6 V
เทคโนโลยี:FLASH - NAND (SLC)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:63-TFBGA (9x11)
ชุด:-
บรรจุภัณฑ์:Tray
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:63-VFBGA
ชื่ออื่น:TC58NVG1S3HBAI4JDH
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ประเภทหน่วยความจำ:Non-Volatile
ขนาดหน่วยความจำ:2Gb (256M x 8)
อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ:Parallel
รูปแบบหน่วยความจำ:FLASH
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
คำอธิบายโดยละเอียด:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
เวลาในการเข้าถึง:25ns
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest