SQM60N20-35_GE3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- SQM60N20-35_GE3
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 200V 60A TO263
- ปริมาณในสต็อก:
- 75479 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- SQM60N20-35_GE3.pdf
บทนำ
We can supply SQM60N20-35_GE3, use the request quote form to request SQM60N20-35_GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SQM60N20-35_GE3.The price and lead time for SQM60N20-35_GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SQM60N20-35_GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SQM60N20-35_GE3 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-263 (D²Pak) |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 20A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 375W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 5850pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 200V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 200V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ SQM60N20-35_GE3
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor