หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-SI6413DQ-T1-E3 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 800mV @ 400µA |
Vgs (สูงสุด): | ±8V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TSSOP |
ชุด: | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1.05W (Ta) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 105nC @ 5V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 20V 7.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |