RGT50TS65DGC11
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- RGT50TS65DGC11
- ผู้ผลิต:
- LAPIS Semiconductor
- ลักษณะ:
- IGBT 650V 48A 174W TO-247N
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 74817 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.RGT50TS65DGC11.pdf2.RGT50TS65DGC11.pdf
บทนำ
We can supply RGT50TS65DGC11, use the request quote form to request RGT50TS65DGC11 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RGT50TS65DGC11.The price and lead time for RGT50TS65DGC11 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RGT50TS65DGC11.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-RGT50TS65DGC11 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 650V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.1V @ 15V, 25A |
| ทดสอบสภาพ: | 400V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 27ns/88ns |
| การสลับพลังงาน: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247N |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 58ns |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 174W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | Trench Field Stop |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 49nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Trench Field Stop 650V 48A 174W Through Hole TO-247N |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 75A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 48A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ RGT50TS65DGC11
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor