OPIA4N35DTUE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- OPIA4N35DTUE
- ลักษณะ:
- OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 86067 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- OPIA4N35DTUE.pdf
บทนำ
We can supply OPIA4N35DTUE, use the request quote form to request OPIA4N35DTUE pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number OPIA4N35DTUE.The price and lead time for OPIA4N35DTUE depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# OPIA4N35DTUE.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-OPIA4N35DTUE |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | 60V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 5000Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 1.2V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด): | 300mV |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type): | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 6-DIP |
| ชุด: | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 5µs, 4µs |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ประเภทขาออก: | Transistor with Base |
| ชื่ออื่น: | 365-1454 OPIA600DTU |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 100°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | DC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด): | 60% @ 2mA |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด): | 600% @ 2mA |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 50mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ OPIA4N35DTUE
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor