หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-NDF0610 |
---|---|
เงื่อนไข | Original New |
ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
การสลักด้านบน | email us |
การแทนที่ | See datasheet |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92-3 |
ชุด: | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 60pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 1.43nC @ 10V |
ประเภท FET: | P-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 60V 180mA (Ta) Through Hole TO-92-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 180mA (Ta) |
Email: | [email protected] |