내부 부품 번호 | RO-NDF0610 |
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조건 | Original New |
국가 원산지 | Contact us |
최고 마킹 | email us |
바꿔 놓음 | See datasheet |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 1mA |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-92-3 |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
포장: | Bulk |
패키지 / 케이스: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
실장 형: | Through Hole |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 60pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.43nC @ 10V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 60V |
상세 설명: | P-Channel 60V 180mA (Ta) Through Hole TO-92-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 180mA (Ta) |
Email: | [email protected] |