MUN5113DW1T1G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- MUN5113DW1T1G
- ผู้ผลิต:
- ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 76535 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- MUN5113DW1T1G.pdf
บทนำ
We can supply MUN5113DW1T1G, use the request quote form to request MUN5113DW1T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MUN5113DW1T1G.The price and lead time for MUN5113DW1T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MUN5113DW1T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 50V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม): | 47k |
| ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 250mW |
| โพลาไรซ์: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ชื่ออื่น: | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| เสียงรบกวนรูป (เดซิเบล Typ @ F): | 47k |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | MUN5113DW1T1G |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 80 @ 5mA, 10V |
| ขยายคำอธิบาย: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| ลักษณะ: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 500nA |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ MUN5113DW1T1G
ข่าว Latest
- Onsemi เปิดตัวแพ็คเกจโทร 650 V Silicon Carbide Mosfet เป็นครั้งแรกของโลก
- ชุดพัฒนามอเตอร์ของ ON Semiconductor มุ่งเน้นไปที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเป็นอันดับแรก
- แพลตฟอร์ม lidar ซิลิคอนโฟโตมัลติเพลเยอร์ (SiPM) ของ ON Semiconductor ตรงเวลาบิน (dToF) ให้การออกแบบสำเร็จรูปสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในอุตสาหกรรม
- ON Semiconductor และ Theta Power Systems International สร้างความร่วมมือสำหรับแอพพลิเคชั่นควบคุมมอเตอร์
- ON Semiconductor แต่งตั้ง Hassane El-Khoury ดำรงตำแหน่งซีอีโอ (CEO)