MUN5113DW1T1G
- 제품 모델:
- MUN5113DW1T1G
- 제조사:
- ON Semiconductor
- 기술:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
- RoHS 현황:
- 무연 / RoHS 준수
- 수량 재고 있음:
- 76535 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 생산 시간:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- MUN5113DW1T1G.pdf
소개
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규격
| 내부 부품 번호 | RO-MUN5113DW1T1G |
|---|---|
| 조건 | Original New |
| 국가 원산지 | Contact us |
| 최고 마킹 | email us |
| 바꿔 놓음 | See datasheet |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 100mA |
| 전압 - 파괴: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 50V |
| 연속: | - |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴): | 47k |
| 저항기 -베이스 (R1) (옴): | - |
| 전력 - 최대: | 250mW |
| 편광: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 다른 이름들: | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
| 잡음 지수 (f에서 dB Typ): | 47k |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 10 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | MUN5113DW1T1G |
| 주파수 - 전환: | 80 @ 5mA, 10V |
| 확장 설명: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 기술: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 500nA |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Email: | [email protected] |
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