Belső rész száma | RO-MUN5113DW1T1G |
---|---|
Feltétel | Original New |
Ország eredete | Contact us |
Top jelölés | email us |
Csere | See datasheet |
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 100mA |
Feszültségelosztás: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 50V |
Sorozat: | - |
RoHS állapot: | Tape & Reel (TR) |
Ellenállás - Emitter alap (R2) (Ohm): | 47k |
Ellenállás - alap (R1) (Ohm): | - |
Teljesítmény - Max: | 250mW |
Polarizáció: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Más nevek: | MUN5113DW1T1G-ND MUN5113DW1T1GOSTR |
Zaj kép (dB Typ @ f): | 47k |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
Gyártási szám: | MUN5113DW1T1G |
Frekvencia - Átmenet: | 80 @ 5mA, 10V |
Bővített leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Leírás: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 500nA |
Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 250mV @ 300µA, 10mA |
Áram - kollektor (Ic) (Max): | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Email: | [email protected] |