IXXH80N65B4H1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXXH80N65B4H1
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- IGBT 650V 160A 625W TO247AD
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 46839 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IXXH80N65B4H1.pdf
บทนำ
We can supply IXXH80N65B4H1, use the request quote form to request IXXH80N65B4H1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXXH80N65B4H1.The price and lead time for IXXH80N65B4H1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXXH80N65B4H1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-IXXH80N65B4H1 |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 650V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2V @ 15V, 80A |
| ทดสอบสภาพ: | 400V, 80A, 3 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 38ns/120ns |
| การสลับพลังงาน: | 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 (IXXH) |
| ชุด: | GenX4™, XPT™ |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 150ns |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 625W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | 629411 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | PT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 120nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 (IXXH) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 430A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 160A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXXH80N65B4H1
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor