IRFIBF30GPBF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IRFIBF30GPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay / Siliconix
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 54878 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IRFIBF30GPBF.pdf
บทนำ
We can supply IRFIBF30GPBF, use the request quote form to request IRFIBF30GPBF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IRFIBF30GPBF.The price and lead time for IRFIBF30GPBF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IRFIBF30GPBF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-IRFIBF30GPBF |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 1200pF @ 25V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-220-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (สูงสุด): | 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.9A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| ชื่ออื่น: | *IRFIBF30GPBF |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRFIBF30GPBF |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 78nC @ 10V |
| ประเภท IGBT: | ±20V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | N-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 900V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 35W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IRFIBF30GPBF
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor