IRFIBF30GPBF
- Тип продуктов:
- IRFIBF30GPBF
- производитель:
- Vishay / Siliconix
- Описание:
- MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 54878 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- IRFIBF30GPBF.pdf
Введение
We can supply IRFIBF30GPBF, use the request quote form to request IRFIBF30GPBF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IRFIBF30GPBF.The price and lead time for IRFIBF30GPBF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IRFIBF30GPBF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-IRFIBF30GPBF |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - испытания: | 1200pF @ 25V |
| Напряжение - Разбивка: | TO-220-3 |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Vgs (макс.): | 10V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.9A (Tc) |
| поляризация: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Другие названия: | *IRFIBF30GPBF |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 11 Weeks |
| Номер детали производителя: | IRFIBF30GPBF |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 78nC @ 10V |
| Тип IGBT: | ±20V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Характеристика: | N-Channel |
| Расширенное описание: | N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Описание: | MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 900V |
| Коэффициент емкости: | 35W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IRFIBF30GPBF
Latest Новости
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Эпоха DDR5 приближается, и новые проблемы нельзя игнорировать
- Renesas открывает следующую карту маршрута продукта Car Soc и MCU процессора MCU