HGT1S10N120BNS
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HGT1S10N120BNS
- ผู้ผลิต:
- ON Semiconductor
- ลักษณะ:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 53839 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HGT1S10N120BNS.pdf
บทนำ
We can supply HGT1S10N120BNS, use the request quote form to request HGT1S10N120BNS pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HGT1S10N120BNS.The price and lead time for HGT1S10N120BNS depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HGT1S10N120BNS.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1200V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.7V @ 15V, 10A |
| ทดสอบสภาพ: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| การสลับพลังงาน: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-263AB |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 298W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | NPT |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 100nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 80A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 35A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | HGT1S10N120 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HGT1S10N120BNS
ข่าว Latest
- Onsemi เปิดตัวแพ็คเกจโทร 650 V Silicon Carbide Mosfet เป็นครั้งแรกของโลก
- ชุดพัฒนามอเตอร์ของ ON Semiconductor มุ่งเน้นไปที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงานเป็นอันดับแรก
- แพลตฟอร์ม lidar ซิลิคอนโฟโตมัลติเพลเยอร์ (SiPM) ของ ON Semiconductor ตรงเวลาบิน (dToF) ให้การออกแบบสำเร็จรูปสำหรับการใช้งานที่หลากหลายในอุตสาหกรรม
- ON Semiconductor และ Theta Power Systems International สร้างความร่วมมือสำหรับแอพพลิเคชั่นควบคุมมอเตอร์
- ON Semiconductor แต่งตั้ง Hassane El-Khoury ดำรงตำแหน่งซีอีโอ (CEO)