HGT1S10N120BNS
- Số Phần:
- HGT1S10N120BNS
- nhà chế tạo:
- ON Semiconductor
- Sự miêu tả:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- số lượng trong kho:
- 53839 Pieces
- Thời gian giao hàng:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Thời gian sản xuất:
- 4-8 weeks
- Bảng dữliệu:
- HGT1S10N120BNS.pdf
Giới thiệu
We can supply HGT1S10N120BNS, use the request quote form to request HGT1S10N120BNS pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number HGT1S10N120BNS.The price and lead time for HGT1S10N120BNS depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# HGT1S10N120BNS.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Thông số kỹ thuật
| Số phần nội bộ | RO-HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| Điều kiện | Original New |
| Nguồn gốc đất nước | Contact us |
| Đánh dấu hàng đầu | email us |
| Thay thế | See datasheet |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Điều kiện kiểm tra: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| chuyển đổi năng lượng: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-263AB |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 298W |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vài cái tên khác: | HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Kiểu đầu vào: | Standard |
| Loại IGBT: | NPT |
| cổng phí: | 100nC |
| miêu tả cụ thể: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB |
| Hiện tại - Collector xung (Icm): | 80A |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 35A |
| Số phần cơ sở: | HGT1S10N120 |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho HGT1S10N120BNS
Latest Tin tức
- Onsemi đã ra mắt bao bì thu phí đầu tiên trên thế giới 650 v silicon cacbua mosfet
- Bộ phát triển động cơ của ON Semiconductor tập trung vào hiệu quả năng lượng trước tiên
- Nền tảng lidar thời gian bay trực tiếp (dToF) của ống nhân quang silicon của ON Semiconductor cung cấp các thiết kế làm sẵn cho các ứng dụng công nghiệp khác nhau
- ON Semiconductor và Theta Power Systems International thiết lập quan hệ đối tác cho các ứng dụng điều khiển động cơ
- ON Semiconductor bổ nhiệm Hassane El-Khoury làm Giám đốc điều hành (CEO) kế nhiệm