ER3M-TP
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ER3M-TP
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 37527 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ER3M-TP.pdf
บทนำ
We can supply ER3M-TP, use the request quote form to request ER3M-TP pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ER3M-TP.The price and lead time for ER3M-TP depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ER3M-TP.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-ER3M-TP |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.7V @ 3A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1000V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-214AB (SMC) |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 75ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-214AB, SMC |
| ชื่ออื่น: | ER3M-TPMSTR ER3MTP |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -50°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 1000V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5µA @ 1000V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 3A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 45pF @ 4V, 1MHz |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ER3M |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ER3M-TP
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor