ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2033ENGR
EPC2033ENGR
EPC2033ENGR
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2033ENGR
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
67985 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2033ENGR.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply EPC2033ENGR, use the request quote form to request EPC2033ENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2033ENGR.The price and lead time for EPC2033ENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2033ENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-EPC2033ENGR
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:1140pF @ 75V
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:Die
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:7 mOhm @ 25A, 5V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ชุด:eGaN®
สถานะ RoHS:Tray
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:31A (Ta)
โพลาไรซ์:Die
ชื่ออื่น:917-EPC2033ENGR
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2033ENGR
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:10nC @ 5V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.5V @ 9mA
คุณสมบัติ FET:N-Channel
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 150V 31A (Ta) Surface Mount Die
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:150V
อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2033ENGR

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE การสอบสวน
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI การสอบสวน
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE การสอบสวน
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE การสอบสวน
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE การสอบสวน

ข่าว Latest