ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > EPC2019ENG
EPC2019ENG
EPC2019ENG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
EPC2019ENG
ผู้ผลิต:
EPC
ลักษณะ:
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
67347 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
EPC2019ENG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply EPC2019ENG, use the request quote form to request EPC2019ENG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2019ENG.The price and lead time for EPC2019ENG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2019ENG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-EPC2019ENG
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ:270pF @ 100V
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย:Die
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:50 mOhm @ 7A, 5V
เทคโนโลยี:GaNFET (Gallium Nitride)
ชุด:eGaN®
สถานะ RoHS:Tape & Reel (TR)
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:8.5A (Ta)
โพลาไรซ์:Die
ชื่ออื่น:917-1055-2
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:EPC2019ENG
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2.5nC @ 5V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:2.5V @ 1.5mA
คุณสมบัติ FET:N-Channel
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):-
ลักษณะ:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:200V
อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EPC2019ENG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
EPC2020ENG Image EPC2020ENG EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020ENGR Image EPC2020ENGR EPC TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021 Image EPC2021 EPC TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2022ENGRT Image EPC2022ENGRT EPC TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE การสอบสวน
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE การสอบสวน

ข่าว Latest