ATSAMR21E18A-MU
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ATSAMR21E18A-MU
- ผู้ผลิต:
- Micrel / Microchip Technology
- ลักษณะ:
- IC RF TXRX+MCU ISM>1GHZ 32-VFQFN
- สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณในสต็อก:
- 84866 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- เวลาในการผลิต:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.ATSAMR21E18A-MU.pdf2.ATSAMR21E18A-MU.pdf
บทนำ
We can supply ATSAMR21E18A-MU, use the request quote form to request ATSAMR21E18A-MU pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number ATSAMR21E18A-MU.The price and lead time for ATSAMR21E18A-MU depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# ATSAMR21E18A-MU.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ขนาด
| หมายเลขชิ้นส่วนภายใน | RO-ATSAMR21E18A-MU |
|---|---|
| เงื่อนไข | Original New |
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| การสลักด้านบน | email us |
| การแทนที่ | See datasheet |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| ชนิด: | TxRx + MCU |
| ชุด: | SMART™ SAM R21 |
| การเชื่อมต่อแบบอนุกรม: | I²C, SPI, UART, USART, USB |
| ความไวแสง: | -99dBm |
| ครอบครัว / มาตรฐาน RF: | General ISM > 1GHZ |
| โปรโตคอล: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 4dBm |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| การปรับ: | O-QPSK |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 256kB Flash, 32kB SRAM |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| GPIO: | 16 |
| ความถี่: | 2.4GHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 32-VFQFN Exposed Pad |
| อัตราข้อมูล (สูงสุด): | 250kbps |
| ปัจจุบัน - ส่งสัญญาณ: | 7.2mA ~ 13.8mA |
| ปัจจุบัน - รับ: | 11.3mA ~ 11.8mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ATSAMR21E18A-MU
ข่าว Latest
- Toshiba เปิดตัว SmartMCD Series Gate Driver IC พร้อมไมโครคอนโทรลเลอร์แบบฝังตัว
- ADI การปรับใช้ Sambanova Kit การส่งเสริมสูตรการผลิต AI เพื่อให้บรรลุความก้าวหน้าในระดับองค์กร
- Honeywell และ Adi ร่วมมือกันเพื่อส่งเสริมนวัตกรรมและการเปลี่ยนแปลงของอาคารอัตโนมัติ
- Maxim ประกาศเปิดตัว
- Maxim เปิดตัวรถ DC-DC Converter Max16984 รถยนต์ที่มี enumers ชาร์จ USB แบบบูรณาการในตัว
- Renesas Electronics เปิดตัว IC เครื่องใช้ไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้เป็นเครื่องแรกของอุตสาหกรรม
- Renesas เปิดตัวเคอร์เนลรุ่นแรกของ RISC-V 32 บิต
- Vishay เปิดตัวการมีเพศสัมพันธ์แสงต่ำ 10 MBD ใหม่ต่ำสุดที่ 5 mA ช่วงแรงดันไฟฟ้าคือ 2.7 V ถึง 5.5 V
- Melexis เปิดตัวโซลูชันการเบี่ยงเบนอัจฉริยะใหม่เพื่อรวมความปลอดภัยที่เชื่อถือได้
- Toshiba ได้พัฒนาโมดูล MOSFET แบบคู่ 2,200V สองตัวแรกของอุตสาหกรรมเพื่อช่วยให้อุปกรณ์อุตสาหกรรมมีประสิทธิภาพและย่อขนาดเล็กลง
- ยุค DDR5 กำลังใกล้เข้ามาและไม่สามารถเพิกเฉยต่อความท้าทายใหม่ ๆ ได้
- Renesas เปิดแผนที่ผลิตภัณฑ์โปรเซสเซอร์รถยนต์รุ่นต่อไปและ MCU Processor