ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT26M100JCU3
APT26M100JCU3
APT26M100JCU3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT26M100JCU3
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
30468 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT26M100JCU3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT26M100JCU3, use the request quote form to request APT26M100JCU3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT26M100JCU3.The price and lead time for APT26M100JCU3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT26M100JCU3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT26M100JCU3
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227
ชุด:POWER MOS 8™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:396 mOhm @ 18A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):543W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:7868pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:305nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:26A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT26M100JCU3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT28M120L Image APT28M120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 การสอบสวน
APT29F100B2 Image APT29F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX การสอบสวน
APT27ZTR-G1 Image APT27ZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 การสอบสวน
APT27GA90BD15 Image APT27GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 48A 223W TO247 การสอบสวน
APT29F100L Image APT29F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 การสอบสวน
APT25GR120SSCD10 Image APT25GR120SSCD10 Microsemi IGBT 1200V 75A 521W D3PAK การสอบสวน
APT27HZTR-G1 Image APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 การสอบสวน
APT25M100J Image APT25M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 การสอบสวน
APT28M120B2 Image APT28M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX การสอบสวน
APT25SM120B Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT26F120L Image APT26F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 การสอบสวน
APT25GT120BRG Image APT25GT120BRG Microsemi IGBT 1200V 54A 347W TO247 การสอบสวน
APT25GT120BRDQ2G Image APT25GT120BRDQ2G Microsemi IGBT 1200V 54A 347W TO247 การสอบสวน
APT28F60B Image APT28F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 การสอบสวน
APT29F80J Image APT29F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 การสอบสวน
APT25SM120S Microsemi POWER MOSFET - SIC การสอบสวน
APT26M100JCU2 Image APT26M100JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 การสอบสวน
APT25GR120SD15 Image APT25GR120SD15 Microsemi IGBT 1200V 75A 521W D3PAK การสอบสวน
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK การสอบสวน
APT26F120B2 Image APT26F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX การสอบสวน

ข่าว Latest