APT26M100JCU3
APT26M100JCU3
Modelo do Produto:
APT26M100JCU3
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
30468 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
APT26M100JCU3.pdf

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-APT26M100JCU3
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:396 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max):543W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7868pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:305nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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