ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APT10078SLLG
APT10078SLLG
APT10078SLLG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT10078SLLG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณในสต็อก:
46685 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days (We have stocks to ship now)
เวลาในการผลิต:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT10078SLLG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

We can supply APT10078SLLG, use the request quote form to request APT10078SLLG pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT10078SLLG.The price and lead time for APT10078SLLG depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT10078SLLG.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

หมายเลขชิ้นส่วนภายใน RO-APT10078SLLG
เงื่อนไข Original New
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
การสลักด้านบน email us
การแทนที่ See datasheet
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D3 [S]
ชุด:POWER MOS 7®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:780 mOhm @ 7A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):403W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:20 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2525pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:95nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 1000V 14A (Tc) 403W (Tc) Surface Mount D3 [S]
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:14A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT10078SLLG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT10045JLL Image APT10045JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 การสอบสวน
APT100GN120B2G Image APT100GN120B2G Microsemi IGBT 1200V 245A 960W TMAX การสอบสวน
APT100GLQ65JU2 Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APT10035B2FLLG Image APT10035B2FLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX การสอบสวน
APT10045B2LLG Image APT10045B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX การสอบสวน
APT100F50J Image APT100F50J Microsemi MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 การสอบสวน
APT100GN120J Image APT100GN120J Microsemi IGBT 1200V 153A 446W SOT227 การสอบสวน
APT100DL60BG Image APT100DL60BG Microsemi DIODE GEN PURP 600V 100A TO247 การสอบสวน
APT1002RBNG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD การสอบสวน
APT10090BLLG Image APT10090BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน
APT10035JLL Image APT10035JLL Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 การสอบสวน
APT1003RBLLG Image APT1003RBLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 การสอบสวน
APT100GF60JU2 Image APT100GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT10035B2LLG Image APT10035B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX การสอบสวน
APT10078BLLG Image APT10078BLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 การสอบสวน
APT100DL60HJ Image APT100DL60HJ Microsemi MOD DIODE 600V SOT-227 การสอบสวน
APT100GF60JU3 Image APT100GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 120A 416W SOT227 การสอบสวน
APT10035LLLG Image APT10035LLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 การสอบสวน
APT1003RKLLG Microsemi MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 การสอบสวน
APT10090BFLLG Image APT10090BFLLG Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest