SIHB22N60EL-GE3
- Artikelnummer:
- SIHB22N60EL-GE3
- Tillverkare:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beskrivning:
- MOSFET N-CH 600V 21A TO263
- Antal i lager:
- 77675 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- SIHB22N60EL-GE3.pdf
Introduktion
We can supply SIHB22N60EL-GE3, use the request quote form to request SIHB22N60EL-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHB22N60EL-GE3.The price and lead time for SIHB22N60EL-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHB22N60EL-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-SIHB22N60EL-GE3 |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverantörs Device Package: | TO-263 (D²Pak) |
| Serier: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 197 mOhm @ 11A, 10V |
| Effektdissipation (Max): | 227W (Tc) |
| Förpackning: | Tape & Reel (TR) |
| Förpackning / Fodral: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Tillverkarens normala ledtid: | 12 Weeks |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1690pF @ 100V |
| Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| FET-typ: | N-Channel |
| FET-funktionen: | - |
| Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På): | 10V |
| Avlopp till källspänning (Vdss): | 600V |
| detaljerad beskrivning: | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till SIHB22N60EL-GE3
Latest News
- Toshiba lanserar SmartMCD Series Gate Driver IC med inbäddad mikrokontroller
- ADI -distribution Sambanova -kit, främjar produktionsformeln AI för att uppnå genombrott på en företagsnivå
- Honeywell och ADI gick samman för att marknadsföra innovation och förändring av byggnadsautomation
- Maxim tillkännagav lanseringen
- Maxim lanserar en bil DC-DC-omvandlare MAX16984, en bil med integrerade USB-laddningsupptagare
- Renesas Electronics lanserar branschens första programmerbara elektriska drivkraft
- Renesas lanserade den första generationen av 32-bitars RISC-V CPU-kärna
- Vishay lanserade den nya 10 MBD -lågkraftskopplingen, så låg som 5 mA, spänningsområdet är 2,7 V till 5,5 V
- Melexis lanserade en ny intelligent avledande lösning för att integrera tillförlitlig säkerhet
- Toshiba har utvecklat branschens första 2200V -dubbel -karbid MOSFET -modul för att hjälpa effektiv och miniatyrisering av industriell utrustning
- DDR5 -eran närmar sig och nya utmaningar kan inte ignoreras
- Renesas öppnar nästa -Generation Car SOC och MCU Processor Product Route Map