RN1114MFV,L3F
- Artikelnummer:
- RN1114MFV,L3F
- Tillverkare:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beskrivning:
- X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
- RoHS-status:
- Blyfri / Överensstämmer med RoHS
- Antal i lager:
- 31825 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- RN1114MFV,L3F.pdf
Introduktion
We can supply RN1114MFV,L3F, use the request quote form to request RN1114MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1114MFV,L3F.The price and lead time for RN1114MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1114MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-RN1114MFV,L3F |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistortyp: | NPN - Pre-Biased |
| Leverantörs Device Package: | VESM |
| Serier: | - |
| Motstånd - Emitterbas (R2): | 10 kOhms |
| Motstånd - Bas (R1): | 1 kOhms |
| Effekt - Max: | 150mW |
| Förpackning / Fodral: | SOT-723 |
| Andra namn: | RN1114MFVL3F |
| Monteringstyp: | Surface Mount |
| Tillverkarens normala ledtid: | 16 Weeks |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frekvens - Övergång: | 250MHz |
| detaljerad beskrivning: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM |
| Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 10mA, 5V |
| Nuvarande - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Nuvarande - Samlare (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till RN1114MFV,L3F
Latest News
- Toshiba har utvecklat branschens första 2200V -dubbel -karbid MOSFET -modul för att hjälpa effektiv och miniatyrisering av industriell utrustning
- Toshiba släppte den första 200V Transistor Output Car Optocoupler
- TOSHIBA lanserar ett högt avstötningsförhållande och låg buller LDO-regulator med högre kraftledningsstabilitet
- TOSHIBA introducerar tunna och lätta optokopplare för IGBT- och MOSFET-portdrift, drift vid hög temperatur, bak- eller höjdbegränsade positioner: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA lanserar diskreta IGBT som hjälper till att minska energiförbrukningen och strålningen av hushållsapparater: GT30J110SRA
- Toshiba lanserar 5A 2-kanals H-bridge motor driver IC för fordonsapplikationer
- Toshiba lanserar 5 uppsättningar av nya TXZ + ™ -familjens avancerade mikrokontroller för att uppnå låg strömförbrukning, stödja systemminiatyrisering och motorstyrning