JAN2N3501L
- Artikelnummer:
- JAN2N3501L
- Tillverkare:
- Microsemi
- Beskrivning:
- TRANS NPN 150V 0.3A
- RoHS-status:
- Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
- Antal i lager:
- 55646 Pieces
- Leveranstid:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionstid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- JAN2N3501L.pdf
Introduktion
We can supply JAN2N3501L, use the request quote form to request JAN2N3501L pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number JAN2N3501L.The price and lead time for JAN2N3501L depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# JAN2N3501L.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifikationer
| Internt delnummer | RO-JAN2N3501L |
|---|---|
| Tillstånd | Original New |
| Ursprungsland | Contact us |
| Toppmarkering | email us |
| Ersättning | See datasheet |
| Spänning - Samlare Emitter Breakdown (Max): | 150V |
| Vce Mättnad (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Transistortyp: | NPN |
| Leverantörs Device Package: | TO-5 |
| Serier: | Military, MIL-PRF-19500/366 |
| Effekt - Max: | 1W |
| Förpackning: | Bulk |
| Förpackning / Fodral: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Andra namn: | 1086-2349 1086-2349-MIL |
| Driftstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Monteringstyp: | Through Hole |
| Fuktkänslighetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tillverkarens normala ledtid: | 23 Weeks |
| Ledningsfri status / RoHS-status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frekvens - Övergång: | - |
| detaljerad beskrivning: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 300mA 1W Through Hole TO-5 |
| Likströmsstigning (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Nuvarande - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Nuvarande - Samlare (Ic) (Max): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
Relaterade delar till JAN2N3501L
Latest News
- Toshiba lanserar SmartMCD Series Gate Driver IC med inbäddad mikrokontroller
- ADI -distribution Sambanova -kit, främjar produktionsformeln AI för att uppnå genombrott på en företagsnivå
- Honeywell och ADI gick samman för att marknadsföra innovation och förändring av byggnadsautomation
- Maxim tillkännagav lanseringen
- Maxim lanserar en bil DC-DC-omvandlare MAX16984, en bil med integrerade USB-laddningsupptagare
- Renesas Electronics lanserar branschens första programmerbara elektriska drivkraft
- Renesas lanserade den första generationen av 32-bitars RISC-V CPU-kärna
- Vishay lanserade den nya 10 MBD -lågkraftskopplingen, så låg som 5 mA, spänningsområdet är 2,7 V till 5,5 V
- Melexis lanserade en ny intelligent avledande lösning för att integrera tillförlitlig säkerhet
- Toshiba har utvecklat branschens första 2200V -dubbel -karbid MOSFET -modul för att hjälpa effektiv och miniatyrisering av industriell utrustning
- DDR5 -eran närmar sig och nya utmaningar kan inte ignoreras
- Renesas öppnar nästa -Generation Car SOC och MCU Processor Product Route Map