Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > APT47N60BC3G
APT47N60BC3G
APT47N60BC3G
Artikelnummer:
APT47N60BC3G
Tillverkare:
Microsemi
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Antal i lager:
82131 Pieces
Leveranstid:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionstid:
4-8 weeks
Datablad:
1.APT47N60BC3G.pdf2.APT47N60BC3G.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply APT47N60BC3G, use the request quote form to request APT47N60BC3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT47N60BC3G.The price and lead time for APT47N60BC3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT47N60BC3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Internt delnummer RO-APT47N60BC3G
Tillstånd Original New
Ursprungsland Contact us
Toppmarkering email us
Ersättning See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 2.7mA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:TO-247 [B]
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 30A, 10V
Effektdissipation (Max):417W (Tc)
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:TO-247-3
Andra namn:APT47N60BC3GMI
APT47N60BC3GMI-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:18 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:7015pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):10V
Avlopp till källspänning (Vdss):600V
detaljerad beskrivning:N-Channel 600V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till APT47N60BC3G

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
APT47N60SC3G Image APT47N60SC3G Microsemi MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Förfrågan
APT45GR65B Image APT45GR65B Microsemi IGBT 650V 92A 357W TO-247 Förfrågan
APT48M80L Image APT48M80L Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A TO-264 Förfrågan
APT47F60J Image APT47F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Förfrågan
APT47N65BC3G Image APT47N65BC3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Förfrågan
APT47M60J Image APT47M60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227 Förfrågan
APT48M80B2 Image APT48M80B2 Microsemi MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX Förfrågan
APT5010B2LLG Image APT5010B2LLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Förfrågan
APT45GR65BSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Förfrågan
APT45GR65B2DU30 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Förfrågan
APT47GA60JD40 Image APT47GA60JD40 Microsemi Corporation IGBT 600V 87A 283W SOT-227 Förfrågan
APT45GP120JDQ2 Image APT45GP120JDQ2 Microsemi IGBT 1200V 75A 329W SOT227 Förfrågan
APT46GA90JD40 Image APT46GA90JD40 Microsemi IGBT 900V 87A 284W SOT-227 Förfrågan
APT45M100J Image APT45M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 Förfrågan
APT5010JLLU2 Image APT5010JLLU2 Microsemi MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 Förfrågan
APT45GR65SSCD10 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO Förfrågan
APT4M120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Förfrågan
APT47N65SCS3G Microsemi MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Förfrågan
APT4F120K Microsemi MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220 Förfrågan
APT5010B2FLLG Image APT5010B2FLLG Microsemi MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Förfrågan

Latest News