SIHB12N65E-GE3
- Тип продуктов:
- SIHB12N65E-GE3
- производитель:
- Vishay / Siliconix
- Описание:
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 57274 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- SIHB12N65E-GE3.pdf
Введение
We can supply SIHB12N65E-GE3, use the request quote form to request SIHB12N65E-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHB12N65E-GE3.The price and lead time for SIHB12N65E-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHB12N65E-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - испытания: | 1224pF @ 100V |
| Напряжение - Разбивка: | D²PAK (TO-263) |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| поляризация: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 19 Weeks |
| Номер детали производителя: | SIHB12N65E-GE3 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 70nC @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Характеристика: | N-Channel |
| Расширенное описание: | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Описание: | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 650V |
| Коэффициент емкости: | 156W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SIHB12N65E-GE3
Latest Новости
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Эпоха DDR5 приближается, и новые проблемы нельзя игнорировать
- Renesas открывает следующую карту маршрута продукта Car Soc и MCU процессора MCU