SIHB12N65E-GE3
- Número de pieza:
- SIHB12N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 57274 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SIHB12N65E-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Voltaje - Prueba: | 1224pF @ 100V |
| Tensión - Desglose: | D²PAK (TO-263) |
| VGS (th) (Max) @Id: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 12A (Tc) |
| Polarización: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 19 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SIHB12N65E-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 70nC @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| relación de capacidades: | 156W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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