Внутренний номер детали | RO-SIDR668DP-T1-GE3 |
---|---|
Состояние | Original New |
Страна происхождения | Contact us |
Топ маркировки | email us |
замена | See datasheet |
Vgs (й) (Max) @ Id: | 3.4V @ 250µA |
Vgs (макс.): | ±20V |
Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства: | PowerPAK® SO-8DC |
Серии: | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс): | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
упаковка: | Tape & Reel (TR) |
Упаковка /: | PowerPAK® SO-8 |
Другие названия: | SIDR668DP-T1-GE3TR |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки: | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления: | 32 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 5400pF @ 50V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 108nC @ 10V |
Тип FET: | N-Channel |
FET Характеристика: | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS): | 100V |
Подробное описание: | N-Channel 100V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 23.2A (Ta), 95A (Tc) |
Email: | [email protected] |