SIDR402DP-T1-GE3
- Тип продуктов:
- SIDR402DP-T1-GE3
- производитель:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Описание:
- MOSFET N-CHAN 40V PPSO-8DC
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 46261 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.SIDR402DP-T1-GE3.pdf2.SIDR402DP-T1-GE3.pdf
Введение
We can supply SIDR402DP-T1-GE3, use the request quote form to request SIDR402DP-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIDR402DP-T1-GE3.The price and lead time for SIDR402DP-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIDR402DP-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-SIDR402DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | +20V, -16V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PowerPAK® SO-8DC |
| Серии: | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 0.88 mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | PowerPAK® SO-8 |
| Другие названия: | SIDR402DP-T1-GE3TR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 9100pF @ 20V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 40V |
| Подробное описание: | N-Channel 40V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 64.6A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SIDR402DP-T1-GE3
Latest Новости
- ADI сотрудничает с BMW Group, чтобы запустить ведущую отраслевую технологию 10 МБ Car Ethernet, открывая новую главу в области определения программного обеспечения.
- Vishay запускает потенциометр ручки, упрощая проектирование промышленного и аудио и оптимизации затрат
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.