русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - RF > MRF5812GR1
MRF5812GR1
MRF5812GR1
Тип продуктов:
MRF5812GR1
производитель:
Microsemi
Описание:
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
39308 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
MRF5812GR1.pdf
запрос

Введение

We can supply MRF5812GR1, use the request quote form to request MRF5812GR1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MRF5812GR1.The price and lead time for MRF5812GR1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MRF5812GR1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-MRF5812GR1
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):15V
Тип транзистор:NPN
Поставщик Упаковка устройства:8-SO
Серии:-
Мощность - Макс:1.25W
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Другие названия:MRF5812GR1MITR
MRF5812GR1MITR-ND
MRF5812GR1TR
Рабочая Температура:-
Коэффициент шума (дБ Typ @ F):2dB ~ 3dB @ 500MHz
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Усиление:13dB ~ 15.5dB
Частота - Переход:5GHz
Подробное описание:RF Transistor NPN 15V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 50mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (Макс):200mA
Номер базового номера:MRF5812
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для MRF5812GR1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
MRF559GT Microsemi COMM/BIPOLAR TRANSISTOR запрос
MRF5812M Microsemi TRANS NPN 15V 200MA запрос
MRF581 Image MRF581 Microsemi TRANS NPN 18V 200MA MACRO X запрос
MRF5812MR1 Microsemi TRANS NPN 15V 200MA запрос
MRF559T Microsemi COMM/BIPOLAR TRANSISTOR запрос
MRF5812 Microsemi TRANS NPN 15V 200MA SO8 запрос
MRF555GT Microsemi RF NPN TRANSISTOR запрос
MRF586 Image MRF586 Microsemi TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39 запрос
MRF581A Image MRF581A Microsemi TRANS NPN 15V 200MA MACRO X запрос
MRF559G Image MRF559G Microsemi TRANS NPN 16V 150MA MACRO X запрос
MRF5812MR2 Microsemi TRANS NPN 15V 200MA запрос
MRF555G Microsemi RF NPN TRANSISTOR запрос
MRF5812GR2 Image MRF5812GR2 Microsemi TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC запрос
MRF5812R1 Microsemi TRANS NPN 15V 200MA SO8 запрос
MRF555T Image MRF555T Microsemi TRANS NPN 16V 500MA POWERMACRO запрос
MRF5812G Microsemi TRANS NPN 15V 200MA SO8 запрос
MRF581G Image MRF581G Microsemi TRANS NPN 18V 200MA MACRO X запрос
MRF581AG Image MRF581AG Microsemi TRANS RF NPN 5GHZ 15V MACR0 X запрос
MRF559 Microsemi TRANS NPN 16V 150MA MACROX запрос
MRF5812R2 Microsemi Corporation RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC запрос

Latest Новости