LMK60E0-212M50SIAR
- Тип продуктов:
- LMK60E0-212M50SIAR
- производитель:
- TI
- Описание:
- LMK60E0-212M50SIAR
- Количество на складе:
- 89310 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- LMK60E0-212M50SIAR.pdf
Введение
We can supply LMK60E0-212M50SIAR, use the request quote form to request LMK60E0-212M50SIAR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number LMK60E0-212M50SIAR.The price and lead time for LMK60E0-212M50SIAR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# LMK60E0-212M50SIAR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-LMK60E0-212M50SIAR |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Серии: | * |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Подробное описание: | IC |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для LMK60E0-212M50SIAR
Latest Новости
- Новый высокоточный монитор и балансир батареи TI может улучшить производительность проводных и беспроводных систем управления батареями.
- TI запускает ведущие в отрасли беспроводные решения BMS, которые революционизируют управление аккумуляторными батареями электромобилей
- TI представляет новый однопарный Ethernet PHY для расширения области приложений автоматизации производства и зданий.
- Первый малошумящий понижающий преобразователь TI со встроенной компенсацией ферритовых шариков упрощает высокоточную конструкцию.
- Texas Instruments (TI) объявляет финансовые результаты за третий квартал 2020 года и доходность акционеров
- TI представляет свой первый автомобильный GaN FET со встроенным драйвером, внутренней защитой и активным управлением питанием.