русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXFH7N100P
IXFH7N100P
Тип продуктов:
IXFH7N100P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH
Количество на складе:
46922 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IXFH7N100P.pdf
запрос

Введение

We can supply IXFH7N100P, use the request quote form to request IXFH7N100P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFH7N100P.The price and lead time for IXFH7N100P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFH7N100P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-IXFH7N100P
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:6V @ 1mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-247
Серии:HiPerFET™, Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):300W (Tc)
Упаковка /:TO-247-3
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:2590pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:47nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXFH7N100P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXFH76N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXFH74N20 Image IXFH74N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 запрос
IXFH76N07-12 Image IXFH76N07-12 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD запрос
IXFH70N30Q3 Image IXFH70N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 запрос
IXFH80N06 Image IXFH80N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 запрос
IXFH80N10Q Image IXFH80N10Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD запрос
IXFH80N10 Image IXFH80N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 запрос
IXFH80N08 Image IXFH80N08 IXYS Corporation MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 запрос
IXFH80N20Q Image IXFH80N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD запрос
IXFH75N10 Image IXFH75N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD запрос
IXFH80N25X3 Image IXFH80N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 80A TO247 запрос
IXFH75N10Q Image IXFH75N10Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD запрос
IXFH80N085 Image IXFH80N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 запрос
IXFH7N80 Image IXFH7N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD запрос
IXFH7N90Q Image IXFH7N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 запрос
IXFH76N07-11 Image IXFH76N07-11 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD запрос
IXFH80N15Q Image IXFH80N15Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD запрос
IXFH70N20Q3 Image IXFH70N20Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 70A TO-247 запрос
IXFH74N20P Image IXFH74N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 запрос
IXFH72N30X3 Image IXFH72N30X3 IXYS Corporation 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS запрос

Latest Новости