GDP60P120B
- Тип продуктов:
- GDP60P120B
- производитель:
- Global Power Technologies Group
- Описание:
- DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 84254 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- GDP60P120B.pdf
Введение
We can supply GDP60P120B, use the request quote form to request GDP60P120B pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number GDP60P120B.The price and lead time for GDP60P120B depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# GDP60P120B.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-GDP60P120B |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 60A (DC) |
| Напряжение - Разбивка: | TO-247-2 |
| Серии: | Amp+™ |
| Статус RoHS: | Tube |
| Обратное время восстановления (ТИР): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Сопротивление @ Если, F: | 3581pF @ 1V, 1MHz |
| поляризация: | TO-247-2 |
| Другие названия: | 1560-1000 1560-1000-5 1560-1000-ND |
| Рабочая температура - Соединение: | 0ns |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Номер детали производителя: | GDP60P120B |
| Расширенное описание: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 60A (DC) Through Hole TO-247-2 |
| Диод Конфигурация: | 100µA @ 1200V |
| Описание: | DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2 |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1.7V @ 60A |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Емкостной @ В.Р., F: | -55°C ~ 135°C |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для GDP60P120B
Latest Новости
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Эпоха DDR5 приближается, и новые проблемы нельзя игнорировать
- Renesas открывает следующую карту маршрута продукта Car Soc и MCU процессора MCU