EMB3T2R
- Тип продуктов:
- EMB3T2R
- производитель:
- LAPIS Semiconductor
- Описание:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 75433 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.EMB3T2R.pdf2.EMB3T2R.pdf
Введение
We can supply EMB3T2R, use the request quote form to request EMB3T2R pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EMB3T2R.The price and lead time for EMB3T2R depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EMB3T2R.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-EMB3T2R |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
| Тип транзистор: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства: | EMT6 |
| Серии: | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2): | - |
| Резистор - основание (R1): | 4.7 kOhms |
| Мощность - Макс: | 150mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия: | EMB3T2R-ND EMB3T2RTR |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 10 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход: | 250MHz |
| Подробное описание: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | - |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 100mA |
| Номер базового номера: | MB3 |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для EMB3T2R
Latest Новости
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V
- Вишай запустил новую сетку с низким содержанием мощности 10 МБД, всего лишь 5 мА, диапазон напряжений составляет от 2,7 В до 5,5 В
- Melexis запустил новое интеллектуальное решение Divert для интеграции надежной безопасности
- Toshiba разработал первый в промышленности модуль MOSFET 2200 В.
- Эпоха DDR5 приближается, и новые проблемы нельзя игнорировать
- Renesas открывает следующую карту маршрута продукта Car Soc и MCU процессора MCU