DMN10H170SFDE-7
- Тип продуктов:
- DMN10H170SFDE-7
- производитель:
- Diodes Incorporated
- Описание:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- RoHS Статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 86503 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Сроки изготовления:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- DMN10H170SFDE-7.pdf
Введение
We can supply DMN10H170SFDE-7, use the request quote form to request DMN10H170SFDE-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMN10H170SFDE-7.The price and lead time for DMN10H170SFDE-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMN10H170SFDE-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификация
| Внутренний номер детали | RO-DMN10H170SFDE-7 |
|---|---|
| Состояние | Original New |
| Страна происхождения | Contact us |
| Топ маркировки | email us |
| замена | See datasheet |
| Напряжение - испытания: | 1167pF @ 25V |
| Напряжение - Разбивка: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (макс.): | 4.5V, 10V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии: | - |
| Статус RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.9A (Ta) |
| поляризация: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Другие названия: | DMN10H170SFDE-7DITR |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень влажности (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 16 Weeks |
| Номер детали производителя: | DMN10H170SFDE-7 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 9.7nC @ 10V |
| Тип IGBT: | ±20V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET Характеристика: | N-Channel |
| Расширенное описание: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | - |
| Описание: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 100V |
| Коэффициент емкости: | 660mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для DMN10H170SFDE-7
Latest Новости
- Принцип работы конденсатора
- Renesas является первым, кто запустит универсальный 32-разрядный MCU RISC-V с саморазвитым ядром процессора
- На датчике с низким уровнем изображения Anmei, обращенной к современной визуальной системе
- ADI сотрудничает с BMW Group, чтобы запустить ведущую отраслевую технологию 10 МБ Car Ethernet, открывая новую главу в области определения программного обеспечения.
- Vishay запускает потенциометр ручки, упрощая проектирование промышленного и аудио и оптимизации затрат
- Toshiba запускает IC Gate SmartMCD -драйвера серии со встроенным микроконтроллером
- ADI Deployment Sambanova Kit, продвигая производственную формулу AI для достижения прорыва на уровне предприятия
- Honeywell и Adi объединились в руки, чтобы продвигать инновации и изменения автоматизации здания
- Максим объявил о запуске
- Максим запускает автомобиль DC-DC Converter MAX16984, автомобиль со встроенными USB-зарядными перечислениями
- Renesas Electronics запускает первый в отрасли программируемый электрический драйвер IC
- Renesas запустил 32-разрядное ядро процессора RISC-V RISC-V