DMN10H170SFDE-7
- Osa numero:
- DMN10H170SFDE-7
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 86503 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- DMN10H170SFDE-7.pdf
esittely
We can supply DMN10H170SFDE-7, use the request quote form to request DMN10H170SFDE-7 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMN10H170SFDE-7.The price and lead time for DMN10H170SFDE-7 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMN10H170SFDE-7.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-DMN10H170SFDE-7 |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - Testi: | 1167pF @ 25V |
| Jännite - Breakdown: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Sarja: | - |
| RoHS-tila: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.9A (Ta) |
| Polarisaatio: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Muut nimet: | DMN10H170SFDE-7DITR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | DMN10H170SFDE-7 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.7nC @ 10V |
| IGBT Tyyppi: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET Ominaisuus: | N-Channel |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | - |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| kapasitanssi Ratio: | 660mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat DMN10H170SFDE-7
Latest News
- Kondensaattorin työperiaate
- Renesas käynnistää ensimmäisenä universaalin 32-bittisen RISC-V MCU: n itse kehitetyn CPU-ytimen kanssa
- ANMEI: n matalalla -kuva -anturilla, joka on modernin visuaalisen järjestelmän edessä
- ADI tekee yhteistyötä BMW -ryhmän kanssa aloittamaan alan johtavan 10 Mt Car Ethernet -teknologian avaamalla uuden luvun ohjelmistomäärittelyautoissa
- Vishay käynnistää nuppipotentiometrin, yksinkertaistaen teollisuuden ja äänisovellusten suunnittelua ja kustannusten optimoinnin
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen