русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APTM120DDA57T3G
APTM120DDA57T3G
Тип продуктов:
APTM120DDA57T3G
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
69272 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
1.APTM120DDA57T3G.pdf2.APTM120DDA57T3G.pdf
запрос

Введение

We can supply APTM120DDA57T3G, use the request quote form to request APTM120DDA57T3G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM120DDA57T3G.The price and lead time for APTM120DDA57T3G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM120DDA57T3G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APTM120DDA57T3G
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Поставщик Упаковка устройства:SP3
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:684 mOhm @ 8.5A, 10V
Мощность - Макс:390W
упаковка:Bulk
Упаковка /:SP3
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:5155pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:187nC @ 10V
Тип FET:2 N-Channel (Dual)
FET Характеристика:Standard
Слить к источнику напряжения (VDSS):1200V (1.2kV)
Подробное описание:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:17A
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APTM120DDA57T3G

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APTM120SK56T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 запрос
APTM120A80FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 запрос
APTM120DA15G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 запрос
APTM120DA30T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 запрос
APTM120H57FTG Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 запрос
APTM120DA29TG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 запрос
APTM120H57FT3G Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 запрос
APTM120DA68T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 запрос
APTM120H29FG Image APTM120H29FG Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 запрос
APTM120SK15G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 запрос
APTM120DA56T1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 запрос
APTM120A20SG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6 запрос
APTM120DU29TG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 запрос
APTM120SK29TG Microsemi MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 запрос
APTM120A29FTG Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 запрос
APTM120DA30CT1G Image APTM120DA30CT1G Microsemi MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 запрос
APTM120DU15G Image APTM120DU15G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6 запрос
APTM120A65FT1G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1 запрос
APTM120DSK57T3G Microsemi MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 запрос
APTM120H140FT1G Image APTM120H140FT1G Microsemi MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 запрос

Latest Новости