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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTM120DDA57T3G
APTM120DDA57T3G
Modello di prodotti:
APTM120DDA57T3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
69272 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
1.APTM120DDA57T3G.pdf2.APTM120DDA57T3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTM120DDA57T3G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:684 mOhm @ 8.5A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5155pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:187nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A
Email:[email protected]

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