русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > APT66M60L
APT66M60L
APT66M60L
Тип продуктов:
APT66M60L
производитель:
Microsemi
Описание:
MOSFET N-CH 600V 70A TO-264
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
40429 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT66M60L.pdf
запрос

Введение

We can supply APT66M60L, use the request quote form to request APT66M60L pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT66M60L.The price and lead time for APT66M60L depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT66M60L.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT66M60L
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-264 [L]
Серии:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:190 mOhm @ 33A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):1135W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-264-3, TO-264AA
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:25 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:13190pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:330nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):600V
Подробное описание:N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT66M60L

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT68GA60B Image APT68GA60B Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 запрос
APT60S20SG/TR Image APT60S20SG/TR Microsemi Corporation DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK запрос
APT70GR120JD60 Image APT70GR120JD60 Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 запрос
APT68GA60B2D40 Image APT68GA60B2D40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-247 запрос
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi IGBT 650V 134A 595W TO-247 запрос
APT66F60B2 Image APT66F60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 запрос
APT64GA90B Image APT64GA90B Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO247 запрос
APT65GP60J Image APT65GP60J Microsemi IGBT 600V 130A 431W SOT227 запрос
APT70GR120B2 Image APT70GR120B2 Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO247 запрос
APT6M100K Microsemi MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 запрос
APT65GP60L2DQ2G Image APT65GP60L2DQ2G Microsemi IGBT 600V 198A 833W TO264 запрос
APT70GR120J Image APT70GR120J Microsemi IGBT 1200V 112A 543W SOT227 запрос
APT68GA60LD40 Image APT68GA60LD40 Microsemi IGBT 600V 121A 520W TO-264 запрос
APT66M60B2 Image APT66M60B2 Microsemi MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX запрос
APT66F60L Image APT66F60L Microsemi MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 запрос
APT70GR65B2DU40 Microsemi INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO запрос
APT65GP60B2G Image APT65GP60B2G Microsemi IGBT 600V 100A 833W TMAX запрос
APT70GR120L Image APT70GR120L Microsemi IGBT 1200V 160A 961W TO264 запрос
APT64GA90B2D30 Image APT64GA90B2D30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-247 запрос
APT64GA90LD30 Image APT64GA90LD30 Microsemi IGBT 900V 117A 500W TO-264 запрос

Latest Новости