русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл > APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1
Тип продуктов:
APT27ZTR-G1
производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
TRANS NPN 450V 0.8A TO92
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
56870 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT27ZTR-G1.pdf
запрос

Введение

We can supply APT27ZTR-G1, use the request quote form to request APT27ZTR-G1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT27ZTR-G1.The price and lead time for APT27ZTR-G1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT27ZTR-G1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT27ZTR-G1
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):450V
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic:500mV @ 40mA, 200mA
Тип транзистор:NPN
Поставщик Упаковка устройства:TO-92
Серии:-
Мощность - Макс:800mW
упаковка:Cut Tape (CT)
Упаковка /:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Другие названия:APT27ZTR-G1DICT
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Частота - Переход:-
Подробное описание:Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce:6 @ 300mA, 10V
Ток - Коллектор Граничная (Макс):10µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):800mA
Номер базового номера:APT27
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT27ZTR-G1

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT25SM120B Microsemi POWER MOSFET - SIC запрос
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK запрос
APT2X100D120J Image APT2X100D120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP запрос
APT26F120B2 Image APT26F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX запрос
APT29F100L Image APT29F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 запрос
APT28M120L Image APT28M120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 запрос
APT26M100JCU3 Image APT26M100JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 запрос
APT27HZTR-G1 Image APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 запрос
APT27GA90BD15 Image APT27GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 48A 223W TO247 запрос
APT25M100J Image APT25M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 запрос
APT25SM120S Microsemi POWER MOSFET - SIC запрос
APT2X100D100J Image APT2X100D100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP запрос
APT26M100JCU2 Image APT26M100JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 запрос
APT25GT120BRG Image APT25GT120BRG Microsemi IGBT 1200V 54A 347W TO247 запрос
APT28M120B2 Image APT28M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX запрос
APT28F60B Image APT28F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 запрос
APT29F100B2 Image APT29F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX запрос
APT2X100D20J Image APT2X100D20J Microsemi DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP запрос
APT26F120L Image APT26F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 запрос
APT29F80J Image APT29F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 запрос

Latest Новости