Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - διπολική (BJT) - ενιαία > APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1
APT27ZTR-G1
Αριθμός εξαρτήματος:
APT27ZTR-G1
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Περιγραφή:
TRANS NPN 450V 0.8A TO92
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
56870 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
APT27ZTR-G1.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply APT27ZTR-G1, use the request quote form to request APT27ZTR-G1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT27ZTR-G1.The price and lead time for APT27ZTR-G1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT27ZTR-G1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-APT27ZTR-G1
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max):450V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 40mA, 200mA
transistor Τύπος:NPN
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:TO-92
Σειρά:-
Ισχύς - Max:800mW
Συσκευασία:Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Αλλα ονόματα:APT27ZTR-G1DICT
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Through Hole
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση:-
Λεπτομερής περιγραφή:Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:6 @ 300mA, 10V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max):10µA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max):800mA
Αριθμός μέρους βάσης:APT27
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για APT27ZTR-G1

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
APT25SM120B Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT28F60S Image APT28F60S Microsemi MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK Έρευνα
APT2X100D120J Image APT2X100D120J Microsemi DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP Έρευνα
APT26F120B2 Image APT26F120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX Έρευνα
APT29F100L Image APT29F100L Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 Έρευνα
APT28M120L Image APT28M120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 Έρευνα
APT26M100JCU3 Image APT26M100JCU3 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Έρευνα
APT27HZTR-G1 Image APT27HZTR-G1 Diodes Incorporated TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Έρευνα
APT27GA90BD15 Image APT27GA90BD15 Microsemi IGBT 900V 48A 223W TO247 Έρευνα
APT25M100J Image APT25M100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 Έρευνα
APT25SM120S Microsemi POWER MOSFET - SIC Έρευνα
APT2X100D100J Image APT2X100D100J Microsemi DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP Έρευνα
APT26M100JCU2 Image APT26M100JCU2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Έρευνα
APT25GT120BRG Image APT25GT120BRG Microsemi IGBT 1200V 54A 347W TO247 Έρευνα
APT28M120B2 Image APT28M120B2 Microsemi MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX Έρευνα
APT28F60B Image APT28F60B Microsemi MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 Έρευνα
APT29F100B2 Image APT29F100B2 Microsemi MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX Έρευνα
APT2X100D20J Image APT2X100D20J Microsemi DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP Έρευνα
APT26F120L Image APT26F120L Microsemi MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264 Έρευνα
APT29F80J Image APT29F80J Microsemi MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις