русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - igbt - модули > APT200GT60JR
APT200GT60JR
APT200GT60JR
Тип продуктов:
APT200GT60JR
производитель:
Microsemi
Описание:
IGBT 600V 195A ISOTOP
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
31826 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
APT200GT60JR.pdf
запрос

Введение

We can supply APT200GT60JR, use the request quote form to request APT200GT60JR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APT200GT60JR.The price and lead time for APT200GT60JR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APT200GT60JR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-APT200GT60JR
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс):600V
Vce (на) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 200A
Поставщик Упаковка устройства:SOT-227
Серии:Thunderbolt IGBT®
Мощность - Макс:500W
Упаковка /:SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC термистора:No
Тип установки:Chassis Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:18 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Cies) @ Vce:8.65nF @ 25V
вход:Standard
Тип IGBT:NPT
Подробное описание:IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
Ток - Коллектор Граничная (Макс):25µA
Ток - коллектор (Ic) (Макс):195A
конфигурация:Single
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для APT200GT60JR

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
APT18M80B Image APT18M80B Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 запрос
APT200GN60B2G Image APT200GN60B2G Microsemi IGBT 600V 283A 682W TO247 запрос
APT2012LSECK/J3-PRV Image APT2012LSECK/J3-PRV Kingbright LED RED CLEAR 2SMD запрос
APT19M120J Image APT19M120J Microsemi MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 запрос
APT200GN60J Image APT200GN60J Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT200GN60JDQ4 Image APT200GN60JDQ4 Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT2012CGCK Image APT2012CGCK Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD запрос
APT2012MGC Image APT2012MGC Kingbright LED GREEN CLEAR CHIP SMD запрос
APT2012LZGCK Image APT2012LZGCK Kingbright LED GREEN CLEAR 2SMD запрос
APT2012LSECK/J4-PRV Image APT2012LSECK/J4-PRV Kingbright LED ORANGE CLEAR 2SMD запрос
APT18M100B Image APT18M100B Microsemi MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 запрос
APT200GN60JDQ4G Image APT200GN60JDQ4G Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT19F100J Image APT19F100J Microsemi MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 запрос
APT200GN60JG Image APT200GN60JG Microsemi IGBT 600V 283A 682W SOT227 запрос
APT2012LVBC/D Image APT2012LVBC/D Kingbright LED BLUE CLEAR 2SMD запрос
APT2012F3C Image APT2012F3C Kingbright EMITTER IR 940NM 50MA 0805 запрос
APT2012P3BT Image APT2012P3BT Kingbright PHOTOTRANSISTOR IR NPN 940NM SMD запрос
APT2012LSYCK/J3-PRV Image APT2012LSYCK/J3-PRV Kingbright LED YELLOW CLEAR 2SMD запрос
APT2012EC Image APT2012EC Kingbright LED RED CLEAR CHIP SMD запрос
APT18M80S Image APT18M80S Microsemi MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK запрос

Latest Новости